Nous savons que transistor se compose de trois bornes à savoir l'émetteur, le collecteur et la base et ceux-ci sont désignés par E, C et B. Mais, dans les applications des transistors, nous avons besoin de quatre bornes, deux bornes pour l'entrée et deux bornes restantes pour la sortie. Pour résoudre ce problème, nous utilisons un terminal pour les actions i / p et o / p. En utilisant ce concept, nous concevons les circuits, qui offriront les caractéristiques requises et ces configurations sont appelées configurations de transistors.
Configurations de transistors
Types de configurations de transistors
Les trois différents types de configurations de transistors sont
- Configuration de transistor de base commune
- Configuration du transistor émetteur commun
- Configuration du transistor de collecteur commun
Maintenant, nous discutons des trois ci-dessus configuration du transistor s avec des diagrammes.
Types de configurations de transistors
Configuration de transistor de base commune (CB)
La configuration de transistor de base commune donne un i / p faible tout en donnant une impédance o / p élevée. Lorsque la tension du transistor CB est élevée, le gain du courant et le gain global de la puissance sont également faibles par rapport aux autres configurations de transistors. La caractéristique principale du transistor B est que les i / p et o / p du transistor sont en phase. Le schéma suivant montre la configuration du transistor CB. Dans ce circuit, la borne de base est commune aux deux circuits i / p et o / p.
Configuration de transistor de base commune
Le gain de courant du circuit CB est calculé dans une méthode liée à celle du concept CE et il est noté alpha (α). C'est la relation entre le courant du collecteur et le courant de l'émetteur. Le gain de courant est calculé à l'aide de la formule suivante.
Alpha est la relation entre le courant du collecteur (courant de sortie) et le courant de l'émetteur (courant d'entrée). Alpha est calculé à l'aide de la formule:
α = (∆Ic) / ∆IE
Par exemple, si le courant i / p (IE) dans un courant de base commun passe de 2 mA à 4 mA et que le courant o / p (IC) passe de 2 mA à 3,8 mA, le gain du courant sera de 0,90
Le gain de courant du courant du disjoncteur est inférieur à 1. Lorsque le courant de l’émetteur circule dans la borne de base et ne fonctionne pas comme courant de collecteur. Ce courant est toujours inférieur au courant d'émetteur qui le provoque. Le gain de la configuration de base commune est toujours inférieur à 1. La formule suivante est utilisée pour calculer le gain de courant du CE (α) lorsque la valeur CB est donnée, c'est-à-dire (β).
Configuration de transistor de collecteur commun (CC)
La configuration du transistor de collecteur commun est également connue sous le nom d'émetteur suiveur car la tension d'émetteur de ce transistor suit la borne de base du transistor. Offrant une impédance i / p élevée et une impédance o / p faible sont couramment utilisés comme tampon.Le gain de tension de ce transistor est de l'unité, le gain de courant est élevé et les signaux o / p sont en phase. Le schéma suivant montre la configuration du transistor CC. La borne de collecteur est commune aux circuits i / p et o / p.
Configuration commune du transistor de collecteur
Le gain de courant du circuit CC est noté (γ) et il est calculé en utilisant la formule suivante.
Ce gain est lié au gain de courant CB qui est bêta (β), et le gain du circuit CC est calculé lorsque la valeur b est donnée par la formule suivante 
Quand le le transistor est connecté dans l'une des trois configurations de base telles que CE, CB et CC, il existe une relation entre alpha, bêta et gamma. Ces relations sont données ci-dessous.
Par exemple, la valeur de gain actuelle de la valeur de base commune (α) est 0,90, alors la valeur bêta peut être calculée comme
Par conséquent, une variation du courant de base de ce transistor donnera une variation du courant de collecteur qui sera neuf fois plus grande. Si nous voulons utiliser le même transistor dans un CC, nous pouvons calculer le gamma par l'équation suivante.
Configuration commune du transistor émetteur (CE)
La configuration de transistor émetteur commun est la configuration la plus largement utilisée. Le circuit du transistor CE donne un niveau d'impédance moyen i / p et o / p. Le gain de la tension et du courant peut être défini comme un milieu, mais le o / p est opposé au i / p qui correspond à 1800 changements de phase. Cela donne de bonnes performances et il est souvent considéré comme la configuration la plus couramment utilisée. Le schéma suivant montre la configuration du transistor CE. Dans ce type de circuit, la borne d'émetteur est commune à la fois à i / p et o / p.
Configuration commune du transistor émetteur
Le tableau suivant ci-dessous montre les configurations des transistors à émetteur commun, à base commune et à collecteur commun.
Le gain de courant du circuit émetteur commun (CE) est noté bêta (β) .Il s'agit de la relation entre le courant du collecteur et le courant de base.La formule suivante est utilisée pour calculer le bêta (β). Delta est utilisé pour spécifier un petit changement
Par exemple, si le courant i / p (IB) dans un CE passe de 50 mA à 75 mA et le courant o / p (IC) passe de 2,5 mA à 3,6 mA, le gain de courant (b) sera de 44.
À partir du gain de courant ci-dessus, nous pouvons conclure qu'un changement de courant de base génère un changement de courant de collecteur qui est 44 fois plus important.
Tout est différent types de transistor configurations comprenant une base commune, un collecteur commun et un émetteur commun. Nous pensons que vous avez une meilleure compréhension de ce concept. De plus, pour toute question concernant ce concept ou des projets électroniques, veuillez donner vos précieuses suggestions en commentant dans la section commentaires ci-dessous.il y a une question pour vous, quelle est la fonction du transistor?
