La conception puissante du circuit d'amplification DJ MOSFET fournie dans cet article est raisonnablement facile à construire et produira une musique de 250 watts dans un haut-parleur de 4 ohms. L'utilisation de HEXFET en sortie garantit une amplification monstrueuse du courant et de la tension.
L'implication de MOSFET ou plutôt de HEXFET à l'étage de sortie de ce circuit amplificateur mosfet de 250 watts promet une amplification élevée et efficace de la tension et du courant. Le circuit présente en particulier des caractéristiques impressionnantes telles qu'une faible distorsion et une tension de décalage externe et des ajustements de courant de repos.
Étape d'entrée d'amplificateur
Étape de sortie de puissance d'amplificateur
Comment fonctionne le circuit
Ce circuit amplificateur mosfet exceptionnel de 250 watts peut être utilisé comme amplificateur DJ dans les concerts, les fêtes, les terrains ouverts, etc. La conception étant symétrique produit des distorsions négligeables. Essayons d'analyser les détails du circuit:
En se référant au schéma électrique, on voit que les étages d'entrée sont principalement constitués de deux amplificateurs différentiels. Les blocs T1 et T2 sont en fait des transistors doubles appariés dans un seul boîtier, mais vous pouvez opter pour des transistors discrets, assurez-vous simplement que leurs hF sont correctement appariés. Utilisez un couple de BC 547 et BC 557 pour les types NPN et PNP respectivement.
Une configuration différentielle est probablement le moyen idéal pour intégrer deux signaux, par exemple ici les signaux d'entrée et de retour sont mélangés si efficacement.
Typiquement, le rapport des résistances collecteur / émetteur de T1 détermine l'amplification de cet étage.
La référence de fonctionnement CC pour T1 et T2 est reçue d'un couple de transistors T3 et T4 avec les LED associées.
Le réseau LED / transistor ci-dessus aide également à fournir une source de courant constant à l'étage d'entrée car il reste pratiquement insensible aux variations de température ambiante, mais de préférence, la paire LED / transistor doit être attachée ensemble en les collant ensemble ou au moins soudée très près de l'autre sur le PCB.
Immédiatement après le condensateur de couplage C1, le réseau comprenant R2, R3 et C2 forme un filtre passe-bas efficace et permet de maintenir une bande passante à un niveau adapté à l'amplificateur.
Un autre petit réseau à l'entrée, impliquant un préréglage de 1M et quelques résistances de 2M2, permet d'ajuster la tension de décalage de sorte que la composante CC à la sortie de l'amplificateur reste au potentiel nul.
Après l'étage différentiel, un étage conducteur intermédiaire est introduit comprenant T5 et T7. La configuration composée de T6, R9 et R17 forme une sorte de régulateur de tension variable, qui est utilisé pour régler la consommation de courant de repos du circuit.
Le signal amplifié de l'étage ci-dessus va à l'étage de commande composé de T8 et T9 qui sont effectivement utilisés pour commander l'étage de puissance de sortie impliquant les HEXFET T10 et T11 où les signaux subissent finalement une amplification massive de courant et de tension.
D'après le diagramme, il est clairement identifiable que T10 est un canal p et T11 est un FET à canal n. Cette configuration permet une amplification efficace du courant et de la tension à ce stade. L'amplification globale est cependant limitée à 3 en raison du câblage de rétroaction de R22 / R23 et également avec R8 / C2. La limitation garantit une faible distorsion en sortie.
Contrairement aux transistors bipolaires, l'étage de sortie intégrant des HEXFET présente ici un net avantage par rapport à son homologue séculaire. HEXFET étant des dispositifs à coefficient de température positif sont équipés de la propriété inhérente de limiter leur source de drainage car la température du boîtier a tendance à devenir trop chaude, ce qui protège l'appareil des situations d'emballement thermique et de brûler.
La résistance R26 et le condensateur série compensent l'impédance croissante du haut-parleur à des fréquences plus élevées. L'inductance L1 est placée pour protéger le haut-parleur des signaux de crête montants instantanés.
Liste des pièces
- R1 = 100 K
- R2 = 100 K
- R3 = 2K
- R4,5,6,7 = 33 E
- R8 = 3K3,
- R9 = 1K PRESET,
- R10,11,12,13 = 1K2,
- R14,15 = 470E,
- R16 = 3K3,
- R17 = 470E,
- R18,19,21,24 = 12E,
- R22 = 220, 5 WATT
- R20,25 = 220E,
- R23 = 56E, 5 WATTS
- R26 = 5E6, ½ WATT
- C1 = 2,2 uF, PPC,
- C2 = 1nF,
- C3 = 330pF,
- C6 = 0,1 uF, mkt,
- T3 = BC557B,
- T4 = BC547B,
- T7,9 =
TIP32, - T5,6,8 = TIP31,
- T10 = IRF9540,
- T11 = IRF540,
Une version alternative de l'amplificateur de puissance de 250 watts expliqué ci-dessus peut être vue dans le schéma suivant contenant tous les détails concernant les composants:
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